清华832半导体器件与电子电路考研笔记怎么做？

做笔记是基于对书本的理解，做笔记的过程可以说是对书本内容的二次加工，边理解边记忆边书写的印象只会更加深刻，有助于知识的全盘把握，对复习的进展大有裨益。盛世清北十年来专注清北硕博辅导，为帮助考生少走弯路，整理如下清华832半导体器件与电子电路相关资料，以供参考。

参考书

《电子线路基础》 高教出版社，1997 高文焕，刘润生

《数字电子技术基础》 高等教育出版社，第4版 阎石

《半导体物理与器件》（第三版） 电子工业出版社，ISBN: 7-121-00863-7 (美) Donald A. Neamen著; 赵毅强, 姚素英, 谢晓东等译

考情分析

真题解读：

经近几年的历年真题分析，盛世清北老师得出如下结论：

解读：

1、集成电路学院电子信息专业课历年考试难度大，考题较为灵活，与社会热点关联更深。同时，也关注考生的知识面。

2、报考清华也需要有扎实的基础，并非通过所谓的押题和划重点就能考上的。

历年分数线

解读：

根据近3年分数线及复试情况，盛世清北老师分析如下：

（1）近三年来，各科目分数线趋于平稳状态，而总分数线存在波动，且2022年分数线最高；意味着难度在逐步增加，应更加重视专业课的复习，要早复习，避免走弯路。

（2）三年中，录取最低分是302分，最高分414分，也就是说需要考到302-414分，才有机会进入复试。

（3）录取人数2020年为46人，2021年为44人，2022年为68人，录取人数在增加，说明有扩招的可能，同学们要抓住这个机会。

（4）集成电路学院电子信息硕士的复试录取比例较大，复试会淘汰一部分，要非常重视复试。

考点梳理（仅供参考，可能会随年份变化，可咨询盛世清北老师)

电子线路基础

实际上是模电加一点点模集，模电模集是最难啃的一个部分，要求对放大电路尤其是MOS型放大电路有一定理解，重点在MOS集成电路、反馈及频率补偿、集成运放上，BJT不是832考察的重点，不管是模电数电还是器件，重心一定要放在MOSFET上来，不要一开始就走错了方向。模电模集中常用的电路分析知识也就三个：基尔霍夫电流定律、基尔霍夫电压定律、戴维南定理。模电是一门工程课，与数学不同，会有大量的近似分析。近似是有条件、有道理的，模电模集最大的魅力在于在对电路有了一定理解之后，对电路统筹兼顾、权衡取舍，在于明白电路的各种性能指标之间是相互制约的关系，采取某种措施提高了电路这方面的性能，就必然要在某些其他方面付出代价。而放大电路中掌握各个性能指标的物理意义和基本算法后，老老实实画小信号模型，加深理解。尤其要重视基础，像共源级、共漏级、共栅级、共源共栅级，各种电流镜、差分输入级、互补输出级、Miller补偿、零极点分析，都非常重要，必须牢牢掌握，可以说是三本书里比较难啃的一本了。

半导体物理与器件

这门课说到底是一门物理课！理解物理概念比什么都重要，不要陷在繁杂的数学推导里面，深入理解概念能帮助你减少大量的思维和计算过程。这本书实际上也是两门课，半导体物理，以及半导体器件。我们的重心还是放在MOSFET上面。学半导体物理的核心要义在于：理解费米能级。费米能级是贯穿整门课程的重要概念，其他重点还包括平衡半导体（热平衡也是很重要的物理概念）、载流子输运（漂移和扩散）、以及非平衡半导体（产生与复合的动态过程），在这里想特别强调一下双极输运这一部分，是比较高频的考点，和数学中的微分方程结合比较紧密，一定要重视。半导体器件这一部分，内容不多。重点在PN结和MOSFET，不但考频非常高，而且也是理解MOS集成电路的基础。MOS中最常考的部分在于阈电压，每年都考，此外MOSFET的一些电容效应也很重要，C-V特性曲线也是超高频考点，而且可以考得非常灵活。

数字电子技术基础

数电建议大家将数制码制、逻辑代数基础、组合逻辑、时序逻辑、脉冲波的产生与整形（主要是施密特触发器和单稳态触发器）依次看过来，从最开始就养成良好的思维和做题习惯，规规矩矩按标准过程写，问题不大。但这门课的重心在逻辑，而不在门电路的内部构造，不要掉入门电路尤其是BJT型门电路内部构造的坑里去。

真题试题

2018年清华大学832半导体器件与电子电路考研真题（回忆版）

今年的题整体来看与往年风格略不同

半器四道题

证明费米能级

给半导体掺杂浓度算内建电场，画载流子分布

画n+n结的能带图计算接触电势

老生常谈的mos管电流计算

数电4道题

给真值表化简并画电路图

3-8译码＋数据选择器的真值表

求一个组合逻辑的表达式并画状态转换图

最要吐槽的就是这个！流水线给延时求周期

模电也与往年风格略不同

3道题

分别是电流镜、集成运放以及波特图。

2010年清华大学832半导体器件与电子电路考研真题（回忆版）

选择 天空 全是半导体与电子器件的概念

大题：

1、算二极管参数

2、算MOS阈值电压

3、MOS放大2级 算静态工作电流 电压增益 米勒电容 去零点电阻

4、负反馈

5、集成预防搭电路

6、二进制数 反 补 原 + 运算

7、卡诺图

8、2个电阻 2个非门组合 问工作原理 电压传输曲线 正负阈值电压

9、D触发器 时序图

10、画COMS 异或门

既然决定考研，大家就要有信心和决心，并且坚持到底。因为只有坚持，才有机会成功。祝大家都能被梦校录取！考研加油！

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