清华832半导体器件与电子电路考研笔记怎么做?

时间:2022-10-24 访问量:91 来源:管理员

做笔记是基于对书本的理解,做笔记的过程可以说是对书本内容的二次加工,边理解边记忆边书写的印象只会更加深刻,有助于知识的全盘把握,对复习的进展大有裨益。盛世清北十年来专注清北硕博辅导,为帮助考生少走弯路,整理如下清华832半导体器件与电子电路相关资料,以供参考。

参考书

《电子线路基础》 高教出版社,1997 高文焕,刘润生

《数字电子技术基础》 高等教育出版社,第4 阎石

《半导体物理与器件》(第三版) 电子工业出版社,ISBN: 7-121-00863-7 () Donald A. Neamen; 赵毅强, 姚素英, 谢晓东等译

考情分析

真题解读:

经近几年的历年真题分析,盛世清北老师得出如下结论:

专业课

题型

数量

分值

备注

832 半导体器件与电子电路

半物器件

4

50

总分150分,考试时间180分钟

数电

4

50

模电模集

3

50

解读:

1、集成电路学院电子信息专业课历年考试难度大,考题较为灵活,与社会热点关联更深。同时,也关注考生的知识面。

2、报考清华也需要有扎实的基础,并非通过所谓的押题和划重点就能考上的。

历年分数线

年份

政治

外语

专业课一

专业课二

录取线

拟录取人数

录取最高分/最低分

2022

50

50

80

70

330

68

402/330

2021

50

50

80

70

312

44

413/312

2020

45

45

70

70

302

46

414/302

解读:

根据近3年分数线及复试情况,盛世清北老师分析如下:

1)近三年来,各科目分数线趋于平稳状态,而总分数线存在波动,且2022年分数线最高;意味着难度在逐步增加,应更加重视专业课的复习,要早复习,避免走弯路。

2)三年中,录取最低分是302分,最高分414分,也就是说需要考到302-414分,才有机会进入复试。

3)录取人数2020年为46人,2021年为44人,2022年为68人,录取人数在增加,说明有扩招的可能,同学们要抓住这个机会。

4)集成电路学院电子信息硕士的复试录取比例较大,复试会淘汰一部分,要非常重视复试。

考点梳理(仅供参考,可能会随年份变化,可咨询盛世清北老师)

电子线路基础

实际上是模电加一点点模集,模电模集是最难啃的一个部分,要求对放大电路尤其是MOS型放大电路有一定理解,重点在MOS集成电路、反馈及频率补偿、集成运放上,BJT不是832考察的重点,不管是模电数电还是器件,重心一定要放在MOSFET上来,不要一开始就走错了方向。模电模集中常用的电路分析知识也就三个:基尔霍夫电流定律、基尔霍夫电压定律、戴维南定理。模电是一门工程课,与数学不同,会有大量的近似分析。近似是有条件、有道理的,模电模集最大的魅力在于在对电路有了一定理解之后,对电路统筹兼顾、权衡取舍,在于明白电路的各种性能指标之间是相互制约的关系,采取某种措施提高了电路这方面的性能,就必然要在某些其他方面付出代价。而放大电路中掌握各个性能指标的物理意义和基本算法后,老老实实画小信号模型,加深理解。尤其要重视基础,像共源级、共漏级、共栅级、共源共栅级,各种电流镜、差分输入级、互补输出级、Miller补偿、零极点分析,都非常重要,必须牢牢掌握,可以说是三本书里比较难啃的一本了。

半导体物理与器件

这门课说到底是一门物理课!理解物理概念比什么都重要,不要陷在繁杂的数学推导里面,深入理解概念能帮助你减少大量的思维和计算过程。这本书实际上也是两门课,半导体物理,以及半导体器件。我们的重心还是放在MOSFET上面。学半导体物理的核心要义在于:理解费米能级。费米能级是贯穿整门课程的重要概念,其他重点还包括平衡半导体(热平衡也是很重要的物理概念)、载流子输运(漂移和扩散)、以及非平衡半导体(产生与复合的动态过程),在这里想特别强调一下双极输运这一部分,是比较高频的考点,和数学中的微分方程结合比较紧密,一定要重视。半导体器件这一部分,内容不多。重点在PN结和MOSFET,不但考频非常高,而且也是理解MOS集成电路的基础。MOS中最常考的部分在于阈电压,每年都考,此外MOSFET的一些电容效应也很重要,C-V特性曲线也是超高频考点,而且可以考得非常灵活。

数字电子技术基础

数电建议大家将数制码制、逻辑代数基础、组合逻辑、时序逻辑、脉冲波的产生与整形(主要是施密特触发器和单稳态触发器)依次看过来,从最开始就养成良好的思维和做题习惯,规规矩矩按标准过程写,问题不大。但这门课的重心在逻辑,而不在门电路的内部构造,不要掉入门电路尤其是BJT型门电路内部构造的坑里去。

真题试题

2018年清华大学832半导体器件与电子电路考研真题(回忆版)

今年的题整体来看与往年风格略不同

半器四道题

证明费米能级

给半导体掺杂浓度算内建电场,画载流子分布

n+n结的能带图计算接触电势

老生常谈的mos管电流计算

数电4道题

给真值表化简并画电路图

3-8译码+数据选择器的真值表

求一个组合逻辑的表达式并画状态转换图

最要吐槽的就是这个!流水线给延时求周期

模电也与往年风格略不同

3道题

分别是电流镜、集成运放以及波特图。

2010年清华大学832半导体器件与电子电路考研真题(回忆版)

选择 天空 全是半导体与电子器件的概念

大题:

1、算二极管参数

2、算MOS阈值电压

3MOS放大2 算静态工作电流 电压增益 米勒电容 去零点电阻

4、负反馈

5、集成预防搭电路

6、二进制数 + 运算

7、卡诺图

82个电阻 2个非门组合 问工作原理 电压传输曲线 正负阈值电压

9D触发器 时序图

10、画COMS 异或门

既然决定考研,大家就要有信心和决心,并且坚持到底。因为只有坚持,才有机会成功。祝大家都能被梦校录取!考研加油!

以上就是盛世清北小编整理的“清华832半导体器件与电子电路考研笔记怎么做?”相关内容,更多清华大学研究生招生考试相关内容尽在盛世清北-清华考研栏目!愿你考研路上一帆风顺!

 

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