好记性不如烂笔头，用笔记形成对知识点的肌肉记忆，能更好的再答题时将知识转化成笔下内容，对于考研答题很有帮助。盛世清北十年来专注清北硕博辅导，为帮助考生少走弯路，整理如下北大信科院微电子学与固体电子学考研相关资料，以供参考。

真题试题

2018北大半导体物理考题回忆

一、名词解释

受主、雪崩击穿、异质结、费米钉扎(还有两个记不清了，历年真题中可以找到)

二、半导体A、B的电导率-温度曲线如下

1.说明A、B半导体的类型，并说明原因

2.A、B分别产生如下曲线的机制是什么

三、题干给出了两种材料(n型Eg较窄，p型Eg较宽)的能带图，画出这两种材料形成异质结后在如下情形的能带图

1.无外加偏压

2.施加反向偏压Va

四、p-mos管(n型衬底)中，Wm<WS，SIO2层厚度及介电常数已知，< p>

SiO2层中存在以密度为常数ρ的电荷分布

1.写出平带电压表达式

2.画出平带时的能带图

五、PN结P型区及N型区均均匀掺杂，浓度为Na，Nd

1.算出施加正向偏压Va时p区边界少子浓度

2.画出正偏时I-V曲线

3. Na，Nd很小时，I-V曲线与理想曲线有什么区别

六、同时在Si中掺入Na，Nd，Na>Nd

1.写出电荷守恒表达式

2.写出低温区Ef与T的关系

3.示意在能带图中画出Ef随T的变化曲线

参考书（仅供参考，可能会随年份变化，可咨询盛世清北老师）

半导体物理学（第7版），刘恩科 、朱秉升 、罗晋生，电子工业出版社，2011-03

考情分析

真题解读：

经近几年的历年真题分析，盛世清北老师得出如下结论：

解读：

1、信息科学技术学院微电子学与固体电子学专业课历年考试难度大，考题较为灵活，与社会热点关联更深。同时，也关注考生的知识面。

2、报考北大也需要有扎实的基础，并非通过所谓的押题和划重点就能考上的。

历年分数线

解读：

根据近2年分数线及复试情况，盛世清北老师分析如下：

（1）近两年来，各科目分数线趋于平稳状态，而总分数线存在波动，且2021年分数线最高；意味着难度在逐步增加，应更加重视专业课的复习，要早复习，避免走弯路。

（2）两年中，录取最低分354分，最高分424分。也就是说需要考到354-424分才有机会进入复试。

（3）录取人数2020年为2人，2021年为4人，录取人数在增加，说明有扩招的可能性，同学们要抓住这个机会。

（4）信息科学技术学院微电子学与固体电子学硕士的复试录取比例较大，复试会淘汰一部分，要非常重视复试。

考点梳理（仅供参考，可能会随年份变化，可咨询盛世清北老师)

1、半导体晶体结构和半导体的结合性质;

2、半导体中的电子状态：半导体能带的形成，Ge、Si、GaAs能带结构，有效质量、空穴、杂质和缺陷能级;

3、热平衡下半导体载流子的统计分布：状态密度、费米能级、本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应;

4、半导体的导电性：半导体导电原理，载流子的漂移运动、迁移率、散射机构，半导体电阻率(电导率)随温度和杂质浓度的变化规律，强电场效应、热载流子，负阻效应;

5、非平衡载流子：非平衡载流子与准费米能级，非平衡载流子注入与复合，复合理论，非平衡载流子寿命，爱因斯坦关系，载流子漂移、扩散运动，缺陷效应，连续性方程;

6、pn结：平衡与非平衡pn结特点及其能带图，pn结的I-V特性、电容特性、开关特性、击穿特性;

7、 金属和半导体接触：半导体表面态，表面电场效应，金属与半导体接触特性、MIS结构电容-电压特性，

8、半导体异质结：异质结的形成机理、能带图;

9、半导体的光学性质及光电效应：半导体的光吸收，半导体光电导，半导体光生伏特效应，半导体发光及半导体激光器;

10、半导体热电、磁电及压阻效应：半导体热传导及热电效应，半导体的霍耳效应，半导体的压阻效应。

健康身体是基础，良好学风是条件，勤奋刻苦是前提，学习方法是关键，心理素质是保证。只有各种因素相结合，才能在考研大军中脱颖而出！

以上就是盛世清北小编整理的“北大信科院微电子学与固体电子学考研干货笔记”相关内容，更多北京大学研究生招生考试相关内容尽在盛世清北-北大考研栏目！愿你考研路上一帆风顺！

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