考研即将迎来冲刺阶段，在这最后两个月的时间里，需要考生们查漏补缺，找到自己知识点的薄弱地带，能将弱点攻克。当走上考场一定要装备齐全，再做好充足的准备工作后才能胸有成竹，全心全意去争取胜利。盛世清北十年来专注清北硕博辅导，为帮助考生少走弯路，整理如下北大824半导体物理相关资料，以供参考。

真题试题

2018北大半导体物理考题回忆

一、名词解释

受主、雪崩击穿、异质结、费米钉扎(还有两个记不清了，历年真题中可以找到)

二、半导体A、B的电导率-温度曲线如下

1.说明A、B半导体的类型，并说明原因

2.A、B分别产生如下曲线的机制是什么

三、题干给出了两种材料(n型Eg较窄，p型Eg较宽)的能带图，画出这两种材料形成异质结后在如下情形的能带图

1.无外加偏压

2.施加反向偏压Va

四、p-mos管(n型衬底)中，Wm，SIO2层厚度及介电常数已知，< p>

SiO2层中存在以密度为常数ρ的电荷分布

1.写出平带电压表达式

2.画出平带时的能带图

五、PN结P型区及N型区均均匀掺杂，浓度为Na，Nd

1.算出施加正向偏压Va时p区边界少子浓度

2.画出正偏时I-V曲线

3. Na，Nd很小时，I-V曲线与理想曲线有什么区别

六、同时在Si中掺入Na，Nd，Na>Nd

1.写出电荷守恒表达式

2.写出低温区Ef与T的关系

3.示意在能带图中画出Ef随T的变化曲线

“乘风好去，长空万里，直下看山河”，愿我们都能找到最合适自己的路，开启自己喜欢的旅程，以梦为马，不负韶华。考研加油！

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