北大824半导体物理考研真题精品资料

时间:2022-10-28 访问量:77 来源:管理员

精研真题是最好的备考复习方式,因为刷真题可以了解命题趋势,直观感受命题人出题偏好和题目难度且考生可以结合近年来考试真题的重难点进行汇编整理和专项训练,查漏补缺巩固知识点。盛世清北十年来专注清北硕博辅导,为帮助考生少走弯路,整理如下北大824半导体物理相关资料,以供参考。

2018北大半导体物理考题回忆

一、名词解释

受主、雪崩击穿、异质结、费米钉扎(还有两个记不清了,历年真题中可以找到)

二、半导体AB的电导率-温度曲线如下

1.说明AB半导体的类型,并说明原因

2.AB分别产生如下曲线的机制是什么

三、题干给出了两种材料(nEg较窄,pEg较宽)的能带图,画出这两种材料形成异质结后在如下情形的能带图

1.无外加偏压

2.施加反向偏压Va

四、p-mos(n型衬底)中,WmSIO2层厚度及介电常数已知,< p>

SiO2层中存在以密度为常数ρ的电荷分布

1.写出平带电压表达式

2.画出平带时的能带图

五、PNP型区及N型区均均匀掺杂,浓度为NaNd

1.算出施加正向偏压Vap区边界少子浓度

2.画出正偏时I-V曲线

3. NaNd很小时,I-V曲线与理想曲线有什么区别

六、同时在Si中掺入NaNdNa>Nd

1.写出电荷守恒表达式

2.写出低温区EfT的关系

3.示意在能带图中画出EfT的变化曲线

漫漫考研路上,每一段成功的背后,都有着无数次的坚持与努力。祝愿大家能够考上理想的院校,考研加油!

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